รายละเอียดเพิ่มเติม

ต้นฉบับ NCEP039N10M 135A 100V TO-220 MOSFET

NCEP039N10M ข้อมูล:

MOSFET NCEP039N10M TO-220 ใช้เทคโนโลยี Super Trench II ที่ได้รับการปรับให้เหมาะสมโดยเฉพาะเพื่อให้ประสิทธิภาพการสลับความถี่สูงมีประสิทธิภาพสูงสุด การสูญเสียพลังงานทั้งการนำไฟฟ้าและการสวิตชิ่งจะลดลงเนื่องจากการรวม RDS(ON) และ Qg ที่ต่ำมากสำหรับการสวิตชิ่งความถี่สูงและการแก้ไขแบบซิงโครนัส

1. ตัวกำหนดประเภท: NCEP039N10M
2. ประเภทของทรานซิสเตอร์: MOSFET
3. ประเภทของช่องควบคุม: N-Channel
4. กำลังไฟสูงสุด (Pd): 220 W
5. แรงดันเดรน-ซอร์สสูงสุด |Vds|: 100 V
6. แรงดันเกต-ซอร์สสูงสุด |Vgs|: 20 V
7. แรงดันเกต-เกณฑ์สูงสุด |Vgs(th)|: 4 V
8. กระแสเดรนสูงสุด |Id|: 135 A
9. อุณหภูมิทางแยกสูงสุด (Tj): 175 °C
10. ค่าประตูรวม (Qg): 116 nC
11. เวลาที่เพิ่มขึ้น (tr): 11.5 nS
12. ความจุของแหล่งระบายน้ำ (Cd): 618 pF
13. ความต้านทานต่อสถานะของ Drain-Source สูงสุด (Rds): 0.0039 โอห์ม
14. แพ็คเกจ: TO-220

แอปพลิเคชัน

1. ตัวแปลง DC/DC
2. เหมาะอย่างยิ่งสำหรับการสลับความถี่สูงและการแก้ไขแบบซิงโครนัส

คุณสมบัติทั่วไป

1. VDS=100V,ID=135A
    1. RDS(ON)=3.65mΩ , ทั่วไป (TO-220)@ VGS=10V
    2. RDS(ON)=3.5mΩ , ทั่วไป (TO-263)@ VGS=10V

2. ค่าประตูที่ยอดเยี่ยม x RDS (บน) ผลิตภัณฑ์ (FOM)

3. RDS(เปิด) ที่มีความต้านทานต่ำมาก

4. อุณหภูมิในการทำงาน 175 °C

5. การชุบตะกั่วแบบปลอดสารตะกั่ว

6. สารประกอบแม่พิมพ์ปราศจาก Pb