WhatsApp: +8618124018244Описание
MDU3603 MDU3603RH Одноканальный траншейный МОП-транзистор 30 В, 67 А, 9,1 мОм
Общее описание MDU3603
Этот Mosfet использует передовую технологию Magnachip MOSFET для обеспечения низкого сопротивления в открытом состоянии. Это устройство подходит для приложений управления питанием и переключения нагрузки, которые обычно используются в ноутбуках и портативных аккумуляторных батареях.
Функции
1. Вдс = -30В
2. ID = -67A @VGS = -10В
3. РДС (ВКЛ.)
1. < 7,5 мОм при VGS = -20 В
2. < 9,1 мОм при VGS = -10 В
3. < 13,6 мОм при VGS = -5 В
Приложения
1. Переключатель нагрузки
2. Приложения общего назначения
3. Смарт-модуль для батареи Note PC
| 1. | Конфигурация | Одинокий |
| 2. | Технология процесса | ТМОС |
| 3. | Режим канала | Улучшение |
| 4. | Тип канала | п |
| 5. | Количество элементов на чип | 1 |
| 6. | Максимальное напряжение источника стока (В) | 30 |
| 7. | Максимальное напряжение источника затвора (В) | +-25 |
| 8. | Максимальное пороговое напряжение затвора (В) | 3 |
| 9. | Максимальный непрерывный ток стока (А) | 67 |
| 10. | Максимальный ток утечки источника затвора (нА) | 100 |
| 11. | Максимальный IDSS (мкА) | 1 |
| 12. | Максимальное сопротивление источника стока (мОм) | 7,5 при 20 В |
| 13. | Типичный заряд затвора при Vgs (нКл) | 38,4 при 10 В |
| 14. | Типичный заряд затвора при 10 В (нКл) | 38.4 |
| 15. | Типичная входная емкость при Vds (пФ) | 1788@15В |
| 16. | Максимальная рассеиваемая мощность (мВт) | 2500 |
| 17. | Типичное время спада (нс) | 53.2 |
| 18. | Типичное время нарастания (нс) | 13 |
| 19. | Типичное время задержки выключения (нс) | 61.6 |
| 20. | Типичное время задержки включения (нс) | 15.3 |
| 21. | Минимальная рабочая температура (°C) | -55 |
| 22. | Максимальная рабочая температура (°C) | 150 |
| 23. | Упаковка | Лента и катушка |
| 24. | Монтаж | Поверхностное крепление |
| 25. | Высота пакета | 1,1 (макс.) |
| 26. | Ширина пакета | 6,1 (макс.) |
| 27. | Длина пакета | 5,1 (макс.) |
| 28. | плата изменена | 8 |
| 29. | Количество выводов | 8 |
